Введение…………………………………………………………………..3 Глава 1. Исторические этапы развития микроэлектроники …………..4 1.2. Развитие электроники……………………………………….4 1.2 Развитие микроэлектроники…………………………………5 Глава 2. Законы Мура…………………………………………………….6 2.1 Утверждения Мура…………………………………………...6 2.2 “Законы Мура”………………………………………………12 Заключение……………………………………………………………….23 Список литературы

Развитие микроэлектроники и законы Мура

реферат
20 страниц
95% уникальность
2013 год
94 просмотров
Иванцова О.
Эксперт по предмету «Электроника»
Узнать стоимость консультации
Это бесплатно и займет 1 минуту
Оглавление
Введение
Заключение
Список литературы
Введение…………………………………………………………………..3 Глава 1. Исторические этапы развития микроэлектроники …………..4 1.2. Развитие электроники……………………………………….4 1.2 Развитие микроэлектроники…………………………………5 Глава 2. Законы Мура…………………………………………………….6 2.1 Утверждения Мура…………………………………………...6 2.2 “Законы Мура”………………………………………………12 Заключение……………………………………………………………….23 Список литературы
Читать дальше
Электроника изучает явления взаимодействия электронов и других заряженных частиц с электрическими, магнитными и электромагнитными полями, что является физической основой работы электронных приборов и устройств, используемых для передачи, обработки и хранения информации. Основными направлениями развития электроники являются: вакуумная, твердотельная и квантовая электроника. 19 апреля 1965 г. директор исследовательского отдела Fairchild Semiconductor Гордон Мур (ставший в 1968 г.


Если нужны рефераты на заказ в Томске , заполняй форму на Work5.


. со-основателем фирмы Intel) опубликовал в юбилейном выпуске журнала “Electronics” статью “Втискивая ещё больше компонентов на интегральные схемы”, посвящённую прогрессу микроэлектроники за эти годы. Один из тезисов этой работы, позже названный “законом Мура”, состоял в следующем: наиболее выгодное число транзисторов на одном кристалле удваивается каждый год. Мур имел в виду что, в 1960-х г.г. фирмы, которые производили микроэлектронику – например Fairchild, – получали заказы на системы целиком: выбор её архитектуры оставался за фирмой-производителем ИС. Один из вопросов, который вставал перед разработчиками при выборе архитектуры – “каким образом разбить логику системы по отдельным ИС?” Если выбрать слишком мелкое дробление (крайний случай – собрать всю систему из отдельных транзисторов), то расходы на упаковку компонентов в отдельные корпуса и их последующую сборку будут слишком большими; если же упаковывать на одном кристалле слишком большие логические блоки, то большой размер получившейся ИС приведёт к повышению брака, т.к. вероятность повредить какой-либо компонент схемы (и стало быть, всю схему целиком – ведь ИС невозможно чинить!) пропорциональна числу компонентов на схеме.

Читать дальше
В ИС разных типов число транзисторов растёт по-разному – в ИС памяти быстрее всего, в радиотехнических ИС гораздо медленнее, – оно растёт по-разному в разное время даже внутри столь узкой категории ИС, как основная линейка МП фирмы Intel. Даже на сайте Intel, где “в точности экспоненциальный” рост числа транзисторов в этих МП преподносится как некоторое чудо предвидения Муром будущего технологии, рядом же приводятся опровергающие это цифры. Илкка Туоми в своей статье “Жизни и смерть закона Мура” (2002), приводит следующие цифры: для 11 представленных на графиках Intel МП 18-месячное удвоение числа транзисторов даёт ошибку до 3400%; 24-месячное (т.е. указанное самим Муром) – до 150%; экспонента, взвешенная МП 4004 и Pentium-III (период удвоения – 26 мес.) – до 70%, а именно, в Pentium-II было в три с небольшим раза меньше транзисторов, чем “полагалось” по экспоненциальному закону. Туоми, работающий одновременно в Хельсинки, Севилье и Беркли, написал несколько работ с разносторонней критикой “законов Мура”, но он делал акцент именно на объяснении лежащих в их основе фактов и заблуждений, а не массивной статистической проверке. В итоге, можно сказать, что технология не может развиваться равномерно: развитие всегда сочетает эволюционное совершенствование и революционные инновации.
Читать дальше
1. Гатчин Ю.А., Ткалич В.Л., Виволанцев А.С., Дудников Е.А. Введение в микроэлектронику: Учебное пособие. - СПб: СПбГУ ИТМО, 2010. - 114 с. 2. Практикум по электронике и микропроцессорной технике Авторы: Батоврин В.К., Бессонов А.С.,Мошкин В.В., Издательство: ДМК Пресс, 2005 г. 182 страницы 3. Твердотельная электроника и микроэлектроника: Учебное пособие Авторы: Берикашвилли В.Ш Издательство: Издательство МГОУ, 2010г. 356 страниц 4. Физико-технологические основы макро-, микро- и наноэлектроники Авторы: Томилин В.И. Издательство: ФИЗМАТЛИТ, 2011г. 783 стр. 5. 350 микросхем для бытовой радиоаппаратуры. Справочник Издательство: Додэка-XXI, 2010г. 288 страниц 6. Электронные измерения в нанотехнологиях и микроэлектронике Авторы: Дьяконов В.П. Издательство: ДМК Пресс, 2011г. 688 с.
Читать дальше
Поможем с написанием такой-же работы от 500 р.
Лучшие эксперты сервиса ждут твоего задания

Похожие работы

дипломная работа
"Радио России": история становления, редакционная политика, аудитория. (Имеется в виду радиостанция "Радио России")
Количество страниц:
70
Оригинальность:
61%
Год сдачи:
2015
Предмет:
История журналистики
курсовая работа
26. Центральное (всесоюзное) радиовещание: история создания и развития.
Количество страниц:
25
Оригинальность:
84%
Год сдачи:
2016
Предмет:
История журналистики
практическое задание
Анализ журнала "Индекс. Досье на цензуру"
Количество страниц:
4
Оригинальность:
75%
Год сдачи:
2013
Предмет:
История журналистики
реферат
причины последствия политической борьбы по вопросам построения социализма в ссср в 20-30 годы 20века
Количество страниц:
10
Оригинальность:
100%
Год сдачи:
2010
Предмет:
История Отечества
реферат
международные монополии и их роль на мировом рынке
Количество страниц:
15
Оригинальность:
100%
Год сдачи:
2010
Предмет:
Мировая экономика

Поможем с работой
любого уровня сложности!

Это бесплатно и займет 1 минуту
image